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Übersetzungen für „Arsenid“ im Deutsch » Englisch-Wörterbuch
(Springe zu Englisch » Deutsch)Beispiele aus dem Internet (nicht von der PONS Redaktion geprüft)
Das Sampling Intervall beträgt 1.4 nm zwischen 350-1000 nm und 2 nm zwischen 1000-2500 nm.
Zur Aufnahme der Spektren werden im VNIR 512 "silizium photo array" Elemente verwendet, im SWIR1 und SWIR2 Subsystem kommen TE(Thermo Electrically)-cooled INGaAs (Indium Gallium Arsenid) Photodioden mit beweglichen 15 Grad oszillierenden Gratings zum Einsatz.
www.eo.uni-jena.deThe sampling interval is 1.4 nm between 350-1000 nm and 2 nm between 1000-2500 nm. VNIR 512 ? silicium photo array ? elements are used for recording of the spectra.
TE(Thermo Electrically)-cooled INGaAs (Indium Gallium Arsenid) photodiodes with moveable 15 degree oscillating gratings are applied for the SWIR1 and SWIR2 subsystems.
www.eo.uni-jena.deHier hilft ein Trick, der mit dem Atomabstand im Kristallgitter zu tun hat :
Elektronen halten sich lieber in Indium-Arsenid (InAs) auf als in Gallium-Arsenid (GaAs).
Da Indium ein wesentlich größeres Atom als Gallium ist, muss man sich eine Schichtung einer InAs-Schicht auf GaAs etwa so vorstellen, wie wenn man Orangen auf Mandarinen schichtet:
aktuell.ruhr-uni-bochum.deHere is a little useful trick that relates to the inter-atomic distance in the crystal lattice :
Electrons prefer residing in indium arsenide (InAs) than in gallium arsenide (GaAs).
Since indium is a considerably larger atom than gallium, one can sonsider the compressive stress of an InAs layer on GaAs in the same way as when stacking oranges on top of mandarins.
aktuell.ruhr-uni-bochum.deStatt Chip für Chip zu transferieren, über- trägt ein spezielles Druckmodul bis zu 1000 Zellen pro Arbeits- schritt.
Die Solarzellen selbst basieren auf mehreren Schichten lichtabsorbierender III-V-Halbleiter wie Gallium-Arsenid.
Diese Technologie erreichte im Labor bereits einen Wirkungsgrad von mehr als 40 Prozent.
www.siemens.comInstead of transferring them chip for chip, a special printing module applies up to 1,000 cells per step.
The solar cells themselves are based on multiple layers of light-absorbing III-V semiconductors like gallium arsenide.
This technology has already attained an efficiency rating of more than 40 percent in the laboratory.
www.siemens.comBeispiele aus dem Internet (nicht von der PONS Redaktion geprüft)
The sampling interval is 1.4 nm between 350-1000 nm and 2 nm between 1000-2500 nm. VNIR 512 ? silicium photo array ? elements are used for recording of the spectra.
TE(Thermo Electrically)-cooled INGaAs (Indium Gallium Arsenid) photodiodes with moveable 15 degree oscillating gratings are applied for the SWIR1 and SWIR2 subsystems.
www.eo.uni-jena.deDas Sampling Intervall beträgt 1.4 nm zwischen 350-1000 nm und 2 nm zwischen 1000-2500 nm.
Zur Aufnahme der Spektren werden im VNIR 512 "silizium photo array" Elemente verwendet, im SWIR1 und SWIR2 Subsystem kommen TE(Thermo Electrically)-cooled INGaAs (Indium Gallium Arsenid) Photodioden mit beweglichen 15 Grad oszillierenden Gratings zum Einsatz.
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