Deutsch » Englisch

Übersetzungen für „Durchschlagspannung“ im Deutsch » Englisch-Wörterbuch

(Springe zu Englisch » Deutsch)

Beispiele aus dem Internet (nicht von der PONS Redaktion geprüft)

Fujitsu liefert erste Produktmuster des GaN-Leistungsbauelements mit 150 Volt Durchschlagspannung aus

Neues GaN-Leistungsbauelement von Fujitsu mit 150 Volt Durchschlagspannung.

www.presseschleuder.com

Fujitsu to Begin Sample Shipments of GaN Power Device with 150V Breakdown Voltage

New Fujitsu GaN power device with 150V breakdown voltage.

www.presseschleuder.com

Pressebild

Neues GaN-Leistungsbauelement von Fujitsu Semiconductor mit 150 Volt Durchschlagspannung für noch effizientere Stromversorgungseinheiten in den Bereichen Telekommunikation, Industrieautomation, Automotive und anderen Anwendungen.

Öffnet ein neues Fenster

www.fujitsu.com

Press Image

New Fujitsu GaN power device with 150V breakdown voltage contribute to smaller, more efficient power supply products for use in telecommunications, industrial equipment, automotive, and other applications.

Open a new window

www.fujitsu.com

Da die Bausteine in Versorgungsstromkreisen eine höhere Schaltfrequenz unterstützen, können Netzteile kleiner und effizienter gebaut werden.

Neben dem MB51T008A mit einer Durchschlagspannung von 150 V entwickelt Fujitsu Semiconductor weitere Modelle mit Durchschlagspannungen von 600 V und 30 V – ein Beitrag zur Energieeffizienz in einem breit gestreuten Produktspektrum.

Die Stärke der GaN-Leistungsbauelemente beruht auf dem Einsatz von Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit ( HEMT, High Electron Mobility Transistor ).

www.presseschleuder.com

In addition, because it supports a higher switching frequency in power supply circuits, power supplies can achieve improvements in overall size and efficiency.

In addition to MB51T008A, which features a breakdown voltage of 150 V, Fujitsu Semiconductor is also developing models with breakdown voltages of 600 V and 30 V, thereby helping to enable enhanced power efficiency in a wide range of product areas.

These GaN power devices are based on the High Electron Mobility Transistor ( HEMT ) technology, which Fujitsu Laboratories has led the development since the 1980s.

www.presseschleuder.com

Möchtest du ein Wort, eine Phrase oder eine Übersetzung hinzufügen?

Sende uns gern einen neuen Eintrag.

Seite auf Deutsch | Български | Ελληνικά | English | Español | Français | Italiano | Polski | Português | Русский | Slovenščina | Srpski | Türkçe | 中文