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Derzeit interessieren wir uns vor allem für Nitrid-Materialien, z.B. für neuartige Halbleiter wie Galliumnitrid, oder für metallische Nitride wie Hafniumnitrid und Tantalnitrid, die als Diffusionsbarrieren oder Gate-Elektroden für die CMOS-Technologie relevant sind.
Hier arbeiten wir u.a. mit dem Fraunhofer Institut für Integrierte Systeme und Bauelemente-Technologie in Erlangen zusammen.
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Currently, we are mainly interested in nitride-materials, e.g. novel semiconductors such as gallium nitride, or metallic nitrides such as hafnium or tantalum nitride which are relevant as diffusion barriers or gate electrodes in CMOS-technology.
We are collaborating, amongst others, with the Fraunhofer Institute of Integrated Systems and Device Technology (IISB) in Erlangen.
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