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Übersetzungen für „pn-Übergang“ im Deutsch » Englisch-Wörterbuch (Springe zu Englisch » Deutsch)

Beispiele aus dem Internet (nicht von der PONS Redaktion geprüft)

Dieser Solarzellentyp erfordert aber eine sehr feine Strukturierung der Dotierungen und Kontaktierungen auf der Rückseite.

In Standard-Siliziumsolarzellen erzeugen unterschiedlich dotierte Bereiche, großflächig hergestellt, ein elektrisches Feld, den sogenannten pn-Übergang.

Üblicherweise diffundieren dazu bei hohen Temperaturen Fremdatome, wie Bor und Phosphor, in Silizium ein.

www.uni-stuttgart.de

Fine structures and tedious work is required to supply many doped areas and contacts on the backside.

In standard silicon solar cells between the front and the back, two differently doped areas induce an electric field, the so-called large area pn-junction.

Usually the doping is done by a single large-area diffusion of impurity atoms, like boron or phosphor, in silicon at high temperatures.

www.uni-stuttgart.de

Deshalb müssen die Prozesse dahingehend optimiert werden, dass die CdS-Schicht möglichst dünn ist und sich aber gleichzeitig die Eigenschaften des pn-Überganges nicht verschlechtern.

Weitere Informationen zum pn-Übergang und zur Chlor-Ak- tivierungsbehandlung können durch die Messung der elektronenstrahlinduzierten Leitfähigkeit (EBIC) gewonnen werden.

Dabei erfolgt simultan zur elektronenmikroskopischen Abbildung die Messung der EBIC-Signalverteilung.

www1.fep.fraunhofer.de

Therefore, the processes must be optimised to such that the CdS layer is as thin as possible, but the properties of the pn transition do not deteriorated simultaneously.

Additional information on the pn junction and the chlorine activation treatment can be obtained by measuring the electron beam-induced conductivity (EBIC).

In so doing, the EBIC signal distribution is measured simultaneously with the electron-microscopical imaging.

www1.fep.fraunhofer.de

Man erklärt Halbleiter-Gleic hrichter und Leuchtdiode etwa so :

Bei Polung in Durchlassrichtu ng fließen aus dem n-Gebiet Elektronen und aus dem p-Gebiet Löcher zum pn-Übergang hin und reagieren dort zu Photonen und Phononen.

www.physikdidaktik.uni-karlsruhe.de

The semiconductor diode working as a rectifier or a LED may be explained as follows :

In forward polarization electrons from the n layer and holes from the p layer move towards the pn junction.There they react to create pho- tons and phonons.

www.physikdidaktik.uni-karlsruhe.de

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