• Minimierung der ULK-Beschädigung während des Strukturierungsprozesses • Entwicklung neuer Methoden der Nassreinigung für integrierte ULK Materialien • Forschung an ULK-Reparaturprozessen ( für die Wiederherstellung des k-Wertes ) • Erweiterte Charakterisierung von ULK Dielektrika ( TEM Techniken, Porosimetrie, FTIR usw . )
Die Verschlechterung des k-Wertes von ULK-Materialien während des Strukturierungsprozesses durch Trockenätzen ist eine bekannte Herausforderung im heutigen BEOL-Prozess.
Während des Plasma-Ätzschrittes werden Methylgruppen in den Grabenseitenwänden entfernt und hinterlassen freie Bindungen.
www.ipms.fraunhofer.de• Minimizing ULK damage during the patterning process • Developing new methods of wet cleaning for integrated ULK materials • Research on ULK repair processes ( for restoration of the k-value ) • Advanced characterization of ULK dielectrics ( TEM techniques, porosimetry, FTIR … )
The degradation of the k-value of ULK materials during the patterning process by dry etching is a well-known challenge in today’s BEOL processing.
During the plasma etch step methyl groups are removed in the trench sidewalls leaving behind dangling bonds.
www.ipms.fraunhofer.deDie Interconnects-Gruppe am Fraunhofer IPMS-CNT konzentriert sich deshalb auf ULK-Themen wie :
• Minimierung der ULK-Beschädigung während des Strukturierungsprozesses • Entwicklung neuer Methoden der Nassreinigung für integrierte ULK Materialien • Forschung an ULK-Reparaturprozessen (für die Wiederherstellung des k-Wertes) • Erweiterte Charakterisierung von ULK Dielektrika (TEM Techniken, Porosimetrie, FTIR usw.)
Die Verschlechterung des k-Wertes von ULK-Materialien während des Strukturierungsprozesses durch Trockenätzen ist eine bekannte Herausforderung im heutigen BEOL-Prozess.
www.ipms.fraunhofer.deIn the Interconnects group at the Fraunhofer IPMS-CNT we focus on ULK related topics like :
• Minimizing ULK damage during the patterning process • Developing new methods of wet cleaning for integrated ULK materials • Research on ULK repair processes (for restoration of the k-value) • Advanced characterization of ULK dielectrics (TEM techniques, porosimetry, FTIR…)
The degradation of the k-value of ULK materials during the patterning process by dry etching is a well-known challenge in today’s BEOL processing.
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