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Übersetzungen für „Verkappung“ im Deutsch » Englisch-Wörterbuch (Springe zu Englisch » Deutsch)
Beispiele aus dem Internet (nicht von der PONS Redaktion geprüft)
Die Produkt- und Dienstleistungspallette des Fraunhofer-Instituts für Elektronische Nanosysteme ENAS reicht von hochgenauen Sensoren für die Industrie, Sensor- und Aktuatorsystemen mit Ansteuer- und Auswerteelektronik, über gedruckte Funktionalitäten wie Antennen oder Batterien bis hin zur Material- und Zuverlässigkeitsforschung für die Mikroelektronik und Mikrosystemtechnik.
Im Fokus stehen die Entwicklung, das Design und der Test von MEMS/NEMS, Methoden und Technologien zur deren Verkappung und Integration mit Elektronik sowie Mikro- und Nanoelektronik und die 3D-Integration.
Die Anwendungen reichen von der Halbleitertechnik über Medizintechnik, Maschinenbau, Automobilindustrie, Logistik bis hin zu Luft- und Raumfahrt.
www.oes-net.deThe product and service portfolio of the Fraunhofer Institute for Electronic Nano Systems ENAS covers high-precision sensors for industrial applications, sensor and actuator systems with control units and evaluation electronics, printed functionalities like antennas and batteries as well as material and reliability research for microelectronics and micro system technology.
The development, the design and the test of MEMS/NEMS, methods and technologies for their encapsulation and integration with electronics as well as micro and nano electronics and 3D integration are especially in the focus of the work.
Application areas are semiconductor industry, medical engineering, mechanical engineering, automotive industry, logistics as well as aeronautics.
www.oes-net.deDas Fraunhofer ENAS kann heute vertikale Integrationstechnologien für Sensoren und deren Elektronik auf Basis hybrider als auch vertikale Technologien anbieten.
„System Integration Technologies“ umfasst die Methoden und Technologien zur Verkappung von MENS/NEMS sowie die hybride und vertikale Integration von MENS/NEMS mit Elektronik.
www.enas.fraunhofer.deThe request to higher integration densities was a main premise for the development of technologies for structuring through silicon vias ( TSV ) and for the development of TSV metallization.
In parallel barrier and isolation techniques had to be applied and developed further.With increasing experiences it was possible to switch from hybrid to vertical system integration.
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