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Übersetzungen für „bias+voltage“ im Englisch » Deutsch-Wörterbuch
(Springe zu Deutsch » Englisch)Beispiele aus dem Internet (nicht von der PONS Redaktion geprüft)
In particular, the influences of the interface structure, of the barrier thickness, and of the atomic structure of the leads are investigated.
It can be demonstrated that the bias voltage dependence of the TMR ratio can be strongly influenced by a possible FeO monolayer .
Thereby, positive and negative TMR ratios can be obtained in dependence on the applied bias voltage and on the interface structure.
www.physik.uni-halle.deInsbesondere werden die Einflüsse der Grenzflächenstruktur, der Barrierendicke und der atomaren Struktur der Zuleitungen untersucht.
Dabei kann gezeigt werden, dass die Spannungsabhängigkeit des TMR-Verhältnisses sehr stark durch eine mögliche FeO-Schicht an der Grenzfläche beeinflusst werden kann.
Dabei sind sowohl positive als auch negative TMR-Verhältnisse in Abhängigkeit der angelegten Spannung und der Grenzflächenstruktur möglich.
www.physik.uni-halle.deReactions involving the IET process use low STM bias voltages to achieve more control and a much higher spatial resolution.
IET might be based on two different excitations depending on the applied bias voltage .
At high voltages an electron may transiently occupy an electronic orbital of the adsorbate;
www.ruhr-uni-bochum.deDiese erlauben eine hohe laterale Auflösung.
IET kann auf zwei verschiedenen Anregungsmechanismen beruhen, je nach angelegter Spannung.
Bei höheren Spannungen können die Elektronen zeitweilig ein Molekülorbital besetzten, während bei niedrigeren Spannungen molekulare Schwingungen angeregt werden.
www.ruhr-uni-bochum.deIt can be demonstrated that the bias voltage dependence of the TMR ratio can be strongly influenced by a possible FeO monolayer.
Thereby , positive and negative TMR ratios can be obtained in dependence on the applied bias voltage and on the interface structure .
Furthermore, analyzing the states contributing to the current an understanding of the experimentally observed saturation of the TMR ratio for large barrier thicknesses is achieved in the present work.
www.physik.uni-halle.deDabei kann gezeigt werden, dass die Spannungsabhängigkeit des TMR-Verhältnisses sehr stark durch eine mögliche FeO-Schicht an der Grenzfläche beeinflusst werden kann.
Dabei sind sowohl positive als auch negative TMR-Verhältnisse in Abhängigkeit der angelegten Spannung und der Grenzflächenstruktur möglich.
Des Weiteren kann, durch die in dieser Arbeit dargestellten Analysen der am elektronischen Transport beteiligten Zustände, die experimentell beobachtete Sättigung des TMR-Verhältnisses in Abhängigkeit der Barrierendicke verstanden werden.
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