It is expected that a direct access to the selfdiffusion of arsenic is reached in this way.
Investigation of mechanic properties of semiconductor material with different point defect concentrations using indenter methods in a micro- and nanoscale
www.cmat.uni-halle.deVon Interesse ist weiterhin das Aggregationsverhalten von Fremdatomen an Versetzungen, die mit elektronenmikroskopischen und optischen Verfahren am MPI und Fachbereich Physik untersucht wird.
Untersuchung der mechanischen Eigenschaften von Halbleitermaterialien mit unterschiedlicher Punktdefektkonzentration mittels Eindruckverfahren im Mikro- und Nanometerbereich
www.cmat.uni-halle.deParticulate Matter :
Use of the optional flat-tip indenter provides easy measurement of particle proof stress.
This data is useful for improvement of the pretreatment technique or fine particles.
www.shimadzu.eu.comKleinste Partikel :
Der Einsatz des optionalen Eindringkörpers mit flacher Spitze ermöglicht die einfache Messung der Teilchen Dehngrenze.
Die dabei gewonnenen Daten sind wichtig zur Verbesserung der Vorbehandlungstechniken von kleinsten Partikeln.
www.shimadzu.eu.com© Fraunhofer FEP
Determination of the mechanical properties as a function of the penetration depth by continuous stiffness measurement ( Nano Indenter XP )
Characterization of the elastic-plastic deformation behavior using nano-indentation technology < br / > © Fraunhofer FEP
www.fep.fraunhofer.de© Fraunhofer FEP
Bestimmung der mechanischen Eigenschaften als Funktion der Eindringtiefe durch kontinuierliche Steifigkeitsmessung ( Nano Indenter XP )
Charakterisierung des elastisch-plastischen Deformationsverhaltens durch die Nanoindentation-Technik < br / > © Fraunhofer FEP
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Charakterisierung des elastisch-plastischen Deformationsverhaltens durch die Nanoindentation-Technik < br / > © Fraunhofer FEP
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