Wir interessieren uns in unseren Arbeiten für den Einfluss des verwendeten Substrats auf die Kristallisation und auf die strukturellen Umänderungen der Schicht.
Es wird am Beispiel von stöchiometrischem und nichtstöchiometreischem SiC untersucht, wie der Wachstumsprozess der Nanokristallite gezielt gesteuert werden kann.
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www.imet.tu-clausthal.deWe are interested in the influence of the substrate on structural re-arrangment processes.
For stoichiometric and non-stoichiometric silicon carbide we investigate how the growth process of nano-crystallites within the amorphous matrix can be controlled.
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